飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 BSP100
TrenchMOS
晶体管
反转 二极管 限制的 值 和 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流 T
sp
= 25 ˚c - - 6 一个
(身体 二极管)
I
SM
搏动 源 电流 (身体 - - 24 一个
二极管)
V
SD
二极管 向前 电压 I
F
= 1.25 一个; v
GS
= 0 v - 0.82 1.2 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 1.25 一个; -di
F
/dt = 100 一个/
µ
s; - 69 - ns
Q
rr
反转 恢复 承担 V
GS
= 0 v; v
R
= 25 v - 55 - nC
图.1. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25 ˚c
= f(t
sp
)
图.2. normalised 持续的 流 电流.
id% = 100
⋅
I
D
/i
d 25 ˚c
= f(t
sp
); 情况: v
GS
≥
10 v
图.3. safe 运行 范围. t
sp
= 25 ˚c
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.4. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-sp
= f(t); 参数 d = t
p
/t
0 20 40 60 80 100 120 140
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
tsp / c
BSP100
0.1
1
10
100
1 10 100
流-源 电压, vds (v)
顶峰 搏动 流 电流, idm (一个)
d.c.
100 ms
10 ms
rds(在) = vds/ id
1 ms
tp = 10 美国
100 美国
0 20 40 60 80 100 120 140
ID%
normalised 电流 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
tsp / c
BSP100
0.01
0.1
1
10
100
1e-06 1e-05 1e-04 1e-03 1e-02 1e-01 1E+00 1E+01
脉冲波 宽度, tp (s)
顶峰 搏动 流 电流, idm (一个)
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
d = tp/t
D
P
T
二月 1999 3 rev 1.000
: 点此下载
