april 1995 6
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP106
图.6 典型 转移 典型的; v
DS
= 10 v;
T
j
= 25
°
c.
handbook, halfpage
0
1.2
0.8
0.4
0
2
V
GS
(v)
I
D
(一个)
48
6
MDA719
图.7 典型 在-阻抗 作 一个 函数 的 流
电流; t
j
= 25
°
c.
handbook, halfpage
0
20
4
8
12
16
MDA720
110
I
D
(毫安)
R
DSon
(
Ω
)
10
2
10
3
10
4
V
GS
= 3 v
4 v
5 v
10 v
图.8 典型 capacitances 作 一个 函数 的
流-源 电压; v
GS
= 0; f = 1 mhz;
T
j
= 25
°
c.
handbook, halfpage
0
60
80
40
20
0
510 252015
MDA721
C
(pf)
V
DS
(v)
C
rss
C
iss
C
oss
图.9 温度 系数 的 流-源
在-阻抗;
典型 r
ds(在)
在 200 毫安/10 v.
k
R
DS 在
()
在 T
j
R
DS 在
()
在 25
°
C
----------------------------------------------
;
=
handbook, halfpage
−
50 0 50
k
T
j
(
°
c)
150
2.4
0.4
2
100
1.6
1.2
0.8
MDA722
: 点此下载
