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资料编号:180577
 
资料名称:BSP106
 
文件大小: 65.74K
   
说明
 
介绍:
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
 
 


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april 1995 8
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP106
包装 轮廓
REFERENCES
外形
版本
EUROPEAN
PROJECTION
公布 日期
IEC 电子元件工业联合会 EIAJ
SOT429 至-247 98-03-24
0 10 20 mm
规模
塑料 单独的-结束 包装; 散热器 挂载; 1 挂载 孔; 3-lead to-247 SOT429
E
P
一个
一个
1
β
w
M
b
12 3
ee
b
1
b
2
c
Q
q
L
Y
R
D
S
L
1
(1)
α
单位
一个
1
D
b
E
e
wSRqQPLY
b
2
b
1
c
L
1
(1)
维度 (mm 是 这 原来的 维度)
一个
β
α
mm
17
°
13
°
6
°
4
°
5.3
4.7
1.9
1.7
2.2
1.8
1.2
0.9
3.2
2.8
0.9
0.6
21
20
16
15
5.45
3.7
3.3
2.6
2.4
5.3
7.5
7.1
0.4
15.7
15.3
16
15
4.0
3.6
3.5
3.3
便条
1. tinning 的 terminals 是 uncontrolled 在里面 zone l
1
.
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