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资料编号:180622
 
资料名称:BSP315P
 
文件大小: 83.78K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Small-Signal-Transistor
 
 


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1999-09-14
页 7
bsp 315 p
初步的 数据
流-源 在-阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数:
I
D
= -1.17 一个,
V
GS
= -10 v
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.1
bsp 315 p
R
ds(在)
典型值
98%
门 门槛 电压
V
gs(th)
=
f
(
T
j
)
参数:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= -160 µa
-60 -20 20 60 100
°C
160
T
j
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
V
-3.0
V
gs(th)
2%
-60 -20 20 60 100
°C
160
T
j
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
V
-3.0
V
gs(th)
典型值
-60 -20 20 60 100
°C
160
T
j
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
V
-3.0
V
gs(th)
98%
-60 -20 20 60 100
°C
160
T
j
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
V
-3.0
V
gs(th)
典型值 capacitances
c = f(v
DS
)
参数:
V
GS
=0 v,
f
=1 mhz
0 -5 -10 -15 -20 -25 -30
V
-40
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
向前 特性 的 反转 二极管
I
F
=
f
(v
SD
)
参数:
T
j
, t
p
= 80 µs
0.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 -2.4
V
-3.0
V
SD
-2
-10
-1
-10
0
-10
1
-10
一个
bsp 315 p
I
F
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 150 °c 典型值
T
j
= 150 °c (98%)
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