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资料编号:180633
 
资料名称:BSP129
 
文件大小: 321.36K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)
 
 


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BSP129
参数 标识 情况 单位
最小值 典型值 最大值
热的 特性
热的 阻抗,
接合面 - 焊接 要点 (管脚 4)
R
thJS
- - 25 k/w
smd 版本, 设备 在 pcb
R
thJA
minimal footprint - - 115
6 cm
2
冷却 范围
1)
--70
电的 特性,
T
j
=25 °c, 除非 否则 指定
静态的 特性
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
=-3 v,
I
D
=250 µa
240 - - V
门 门槛 电压
V
gs(th)
V
DS
=3 v,
I
D
=108 µa
-2.1 -1.4 -1
流-源 泄漏 电流
I
d (止)
V
DS
=240 v,
V
GS
=-3 v,
T
j
=25 °c
- - 0.1 µA
V
DS
=240 v,
V
GS
=-3 v,
T
j
=125 °c
--10
门-源 泄漏 电流
I
GSS
V
GS
=20 v,
V
DS
=0 v
- - 10 nA
saturated 流 电流
I
DSS
V
GS
=0 v,
V
DS
=10 v
50 - - 毫安
流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
V
GS
=0 v,
I
D
=25 毫安
- 6.5 20
V
GS
=10 v,
I
D
=0.35 一个
- 4.2 6.0
跨导
g
fs
|
V
DS
|>2|
I
D
|
R
ds(在)最大值
,
I
D
=0.28 一个
0.18 0.36 - S
1)
设备 在 40 mm x 40 mm x 1.5 mm 环氧的 pcb fr4 和 6 cm
2
(单独的 layer, 70 µm 厚) 铜 范围 为 流
连接. pcb 是 vertical 在 安静的 空气.
rev. 1.0 页 2 2003-03-28
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