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资料编号:180634
 
资料名称:BSP135
 
文件大小: 411.45K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BSP135
参数 标识 情况 单位
最小值 典型值 最大值
D
ynamic 特性
输入 电容
C
iss
- 98 146 pF
输出 电容
C
oss
- 8.5 13
反转 转移 电容
C
rss
- 3.4 5.1
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
- 5.4 8.1 ns
上升 时间
t
r
- 5.6 8.4
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
-2842
下降 时间
t
f
- 182 273
门 承担 特性
门 至 源 承担
Q
gs
- 0.24 0.36 nC
门 至 流 承担
Q
gd
- 2.0 3.0
门 承担 总的
Q
g
- 3.7 4.9
门 plateau 电压
V
plateau
- 0.20 - V
反转 二极管
二极管 continous 向前 电流
I
S
- - 0.12 一个
二极管 脉冲波 电流
I
s,脉冲波
- - 0.48
二极管 向前 电压
V
SD
V
GS
=-3 v,
I
F
=0.12 一个,
T
j
=25 °c
- 0.78 1.2 V
反转 恢复 时间
t
rr
- 87 130 ns
反转 恢复 承担
Q
rr
- 70 104 nC
V
R
=300 v,
I
F
=0.1 一个,
d
i
F
/d
t
=100 一个/µs
T
一个
=25 °c
V
GS
=-3 v,
V
DS
=25 v,
f
=1 mhz
V
DD
=300 v,
V
GS
=-3...5 v,
I
D
=0.1 一个,
R
G
=6
V
DD
=400 v,
I
D
=0.1 一个,
V
GS
=-3 至 5 v
rev. 1.0 页 3 2003-04-03
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