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资料编号:180635
资料名称:
BSP149
文件大小: 328.62K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)
: 点此下载
1
2
3
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5
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7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BSP149
参数
标识
情况
单位
最小值
典型值
最大值
D
ynamic 特性
输入 电容
C
iss
-
326
430
pF
输出 电容
C
oss
-4155
反转 转移 电容
C
rss
-1725
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
-
5.1
7.7
ns
上升 时间
t
r
-
3.4
5.1
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
-4568
下降 时间
t
f
-2131
门 承担 特性
门 至 源 承担
Q
gs
-
0.74
1.0
nC
门 至 流 承担
Q
gd
-
5.6
8.4
门 承担 总的
Q
g
-1114
门 plateau 电压
V
plateau
-
0.16
-
V
反转 二极管
二极管 continous 向前 电流
I
S
-
-
0.66
一个
二极管 脉冲波 电流
I
s,脉冲波
-
-
2.6
二极管 向前 电压
V
SD
V
GS
=-3 v,
I
F
=0.66 一个,
T
j
=25 °c
-
0.9
1.2
V
反转 恢复 时间
t
rr
-4265ns
反转 恢复 承担
Q
rr
-6090nc
V
R
=100 v,
I
F
=0.5 一个,
d
i
F
/d
t
=100 一个/µs
T
一个
=25 °c
值
V
GS
=-3 v,
V
DS
=25 v,
f
=1 mhz
V
DD
=100 v,
V
GS
=-2…7 v,
I
D
=0.50 一个,
R
G
=6
Ω
V
DD
=160 v,
I
D
=0.05 一个,
V
GS
=-3 至 5 v
rev. 1.0
页 3
2003-04-03
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