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资料编号:180667
资料名称:
BSP170P
文件大小: 152.82K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-01-16
页 3
最终 数据
bsp 170 p
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识
情况
值
单位
最小值
典型值
最大值
动态 特性
跨导
g
fs
V
DS
≤
2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
=-1.9
1.4
2.8
-
S
输入 电容
C
iss
V
GS
=0,
V
DS
=-25v,
f
=1MHz
-
328
410
pF
输出 电容
C
oss
-
105
135
反转 转移 电容
C
rss
-
38
48
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
V
DD
=-30v,
V
GS
=-10v,
I
D
=-1.9a,
R
G
=6
Ω
-
14
21
ns
上升 时间
t
r
-
28
42
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
-
92
138
下降 时间
t
f
-
60
90
门 承担 特性
门 至 源 承担
Q
gs
V
DD
=-48v,
I
D
=-1.9a
-
-1.4
-2.1
nC
门 至 流 承担
Q
gd
-
-3.6
-5.4
门 承担 总的
Q
g
V
DD
=-48v,
I
D
=-1.9a,
V
GS
=0 至 -10v
-
-12.5
-16
门 plateau 电压
V
(plateau)
V
DD
=-48v,
I
D
=-1.9a
-
-3.85
-
V
反转 二极管
inverse 二极管 持续的
向前 电流
I
S
T
一个
=25°C
-
-
-1.9
一个
inverse 二极管 直接 电流,
搏动
I
SM
-
-
-7.6
inverse 二极管 向前 电压
V
SD
V
GS
=0,
I
F
=-1.9a
-
-0.85
-1.1
V
反转 恢复 时间
t
rr
V
R
=-30v,
I
F
=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=-100a/µs
-
36
54
ns
反转 恢复 承担
Q
rr
V
R
=-30v,
I
F
=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100a/µs
-
41
62
nC
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