首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:180667
 
资料名称:BSP170P
 
文件大小: 152.82K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated)
 
 


: 点此下载
  浏览型号BSP170P的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号BSP170P的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号BSP170P的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号BSP170P的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号BSP170P的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号BSP170P的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号BSP170P的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-01-16
页 3
最终 数据
bsp 170 p
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识 情况 单位
最小值 典型值 最大值
动态 特性
跨导
g
fs
V
DS
2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
=-1.9
1.4 2.8 - S
输入 电容
C
iss
V
GS
=0,
V
DS
=-25v,
f
=1MHz
- 328 410 pF
输出 电容
C
oss
- 105 135
反转 转移 电容
C
rss
- 38 48
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
V
DD
=-30v,
V
GS
=-10v,
I
D
=-1.9a,
R
G
=6
- 14 21 ns
上升 时间
t
r
- 28 42
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 92 138
下降 时间
t
f
- 60 90
门 承担 特性
门 至 源 承担
Q
gs
V
DD
=-48v,
I
D
=-1.9a
- -1.4 -2.1 nC
门 至 流 承担
Q
gd
- -3.6 -5.4
门 承担 总的
Q
g
V
DD
=-48v,
I
D
=-1.9a,
V
GS
=0 至 -10v
- -12.5 -16
门 plateau 电压
V
(plateau)
V
DD
=-48v,
I
D
=-1.9a
- -3.85 - V
反转 二极管
inverse 二极管 持续的
向前 电流
I
S
T
一个
=25°C
- - -1.9 一个
inverse 二极管 直接 电流,
搏动
I
SM
- - -7.6
inverse 二极管 向前 电压
V
SD
V
GS
=0,
I
F
=-1.9a
- -0.85 -1.1 V
反转 恢复 时间
t
rr
V
R
=-30v,
I
F
=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=-100a/µs
- 36 54 ns
反转 恢复 承担
Q
rr
V
R
=-30v,
I
F
=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100a/µs
- 41 62 nC
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com