半导体 组 6 sep-12-1996
bsp 298
典型值 输出 特性
I
D
=
ƒ(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
=25 °c
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
V
DS
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
一个
1.2
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 4.0
b
b 4.5
c
c 5.0
d
d 5.5
e
e 6.0
f
f 6.5
g
g 7.0
h
h 7.5
i
i 8.0
j
j 9.0
k
k 10.0
l
P
tot
=2W
l 20.0
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 25 °c
0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 一个 0.60
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Ω
10
R
ds (在)
V
GS
[v] =
一个
一个
4.0
b
b
4.5
c
c
5.0
d
d
5.5
e
e
6.0
f
f
6.5
g
g
7.0
h
h
7.5
i
i
8.0
j
j
9.0
k
k
10.0
l
l
20.0
典型值 转移 特性
I
D
= f
(
V
GS
)
参数:
t
p
= 80 µs
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
V
GS
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
一个
2.6
I
D
典型值 向前 跨导
g
fs
=
f
(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 一个 2.2
I
D
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
S
2.6
g
fs
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