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资料编号:180684
 
资料名称:BSP090
 
文件大小: 124.07K
   
说明
 
介绍:
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1997 三月 13 3
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP090
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
注释
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 流 含铅的.
2. 脉冲波 宽度 和 职责 循环 限制 用 最大 接合面 温度.
3. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板 和 一个 r
th 一个-tp
(包围的 至 系-要点) 的 27.5 k/w.
4. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板 和 一个 r
th 一个-tp
(包围的 至 系-要点) 的 90 k/w.
热的 特性
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流)
−−
30 V
V
GS
门-源 电压 (直流)
−±
20 V
I
D
流 电流 (直流) T
s
= 100
°
c; 便条 1
−−
5.7 一个
I
DM
顶峰 流 电流 便条 2
−−
22 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
= 100
°
C
5W
T
amb
=25
°
c; 便条 3
3.3 W
T
amb
=25
°
c; 便条 4
1.25 W
T
stg
存储 温度
65 +150
°
C
T
j
运行 接合面 温度
65 +150
°
C
源-流 二极管
I
S
源 电流 (直流) T
s
= 100
°
C
−−
3.8 一个
I
SM
顶峰 搏动 源 电流 便条 2
−−
15 一个
标识 参数 单位
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至 焊接 要点 10 k/w
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