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资料编号:180684
资料名称:
BSP090
文件大小: 124.07K
说明
:
介绍
:
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
: 点此下载
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4
5
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8
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11
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1997
三月
13
7
飞利浦 半导体
产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP090
图.6
电容 作 一个 函数 的 流-源
电压; 典型 值.
V
GS
=
0; f
=
1
mhz; t
j
=25
°
c.
(1)
C
iss
.
(2)
C
oss
.
(3)
C
rss
.
handbook, halfpage
0
−
8
(1)
(2)
(3)
−
16
V
DS
(v)
−
24
2000
C
(pf)
1500
500
0
1000
MGD729
图.7 输出 特性; 典型 值.
T
amb
=25
°
c; t
p
=80
µ
s;
δ
=0.
handbook, halfpage
0
−
4
I
D
(一个)
−
8
V
DS
(v)
−
12
−
25
0
−
20
−
3.5 v
−
2.5 v
−
15
−
10
−
5
MGD730
V
GS
=
−
10 v
−
6 v
−
5 v
−
4.5 v
−
3 v
−
4 v
图.8 转移 特性; 典型 值.
V
DS
=
−
10
v; t
amb
=25
°
c; t
p
=80
µ
s;
δ
=0.
handbook, halfpage
0
−
30
−
20
−
10
0
−
2
I
D
(一个)
−
4
−
8
−
6
V
GS
(v)
MGD731
图.9
门-源 电压 和 流-源
电压 作 一个 函数 的 总的 门 承担;
典型 值.
V
DD
=
−
15
v; i
D
=
−
2.8
一个; t
amb
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
−
12
−
8
−
4
0
10
V
GS
(v)
V
GS
−
18
−
12
−
6
0
V
DS
(v)
20
Q
G
(nc)
30
MGD732
V
DS
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