1997 六月 20 3
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管
BSP250
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
注释
1. 脉冲波 宽度 和 职责 循环 限制 用 最大 接合面 温度.
2. 设备 挂载 在 一个 环氧的 打印-电路 板, 40
×
40
×
1.5 mm; 挂载 垫子 为 流 含铅的 最小 6 cm
2
.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流)
−−
30 V
V
GSO
门-源 电压 (直流) 打开 流
−±
20 V
I
D
流 电流 (直流) T
s
≤
100
°
C
−−
3A
I
DM
顶峰 流 电流 便条 1
−−
12 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
= 100
°
C
−
5W
T
amb
=25
°
c; 便条 2
−
1.65 W
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
运行 接合面 温度
−
150
°
C
源-流 二极管
I
S
源 电流 (直流) T
s
≤
100
°
C
−−
1.5 一个
I
SM
顶峰 搏动 源 电流 便条 1
−−
6A
图.2 电源 减额 曲线.
handbook, halfpage
0 200
2.0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
MLB885
T
amb
(
°
c)
50 100 150
P
tot
(w)
δ
= 0.01.
焊接 要点 温度 t
s
= 100
°
c.
(1) R
DSon
限制.
图.3 soar.
handbook, halfpage
MLB835
V
DS
(v)
I
D
(一个)
−
10
−
1
−
10
2
−
1
−
10
−
10
−
2
−
10
2
−
10
−
1
−
1
−
10
t
p
t
p
T
P
t
T
δ
=
1 ms
直流
(1)
t
p =
10
µ
s
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