1997 六月 20 4
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管
BSP250
热的 特性
便条
1. 设备 挂载 在 一个 环氧的 打印-电路 板, 40
×
40
×
1.5 mm; 挂载 垫子 为 流 含铅的 最小 6 cm
2
.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 75 k/w
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至 焊接 要点 10 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0; i
D
=
−
10
µ
一个
−
30
−−
V
V
GSth
门-源 门槛 电压 V
GS
=V
DS
; i
D
=
−
1mA
−
1
−−
2.8 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
GS
= 0; v
DS
=
−
24 V
−−−
100 nA
I
GSS
门 泄漏 电流 V
GS
=
±
20 v; v
DS
=0
−−±
100 nA
I
Don
在-状态 流 电流 V
GS
=
−
10 v; v
DS
=
−
1V
−
3
−−
一个
V
GS
=
−
4.5 v; v
DS
=
−
5V
−
1
−−
一个
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
=
−
4.5 v; i
D
=
−
0.5 一个
−
0.33 0.4
Ω
V
GS
=
−
10 v; i
D
=
−
1A
−
0.22 0.25
Ω
y
fs
向前 转移 admittance V
DS
=
−
20 v; i
D
=
−
1A 1 2
−
S
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0; v
DS
=
−
20 v; f = 1 MHz
−
250
−
pF
C
oss
输出 电容 V
GS
= 0; v
DS
=
−
20 v; f = 1 MHz
−
140
−
pF
C
rss
反转 转移 电容 V
GS
= 0; v
DS
=
−
20 v; f = 1 MHz
−
50
−
pF
Q
G
总的 门 承担 V
GS
=
−
10 v; v
DS
=
−
15 v;
I
D
=
−
2.3 一个
−
10 25 nC
Q
GS
门-源 承担 V
GS
=
−
10 v; v
DS
=
−
15 v;
I
D
=
−
2.3 一个
−
1
−
nC
Q
GD
门-流 承担 V
GS
=
−
10 v; v
DS
=
−
15 v;
I
D
=
−
2.3 一个
−
3
−
nC
切换 时间
t
在
转变-在 时间 V
GS
=0to
−
10 v; v
DD
=
−
20 v;
I
D
=
−
1 一个; r
L
=20
Ω
−
20 80 ns
t
止
转变-止 时间 V
GS
=
−
10 至 0 v; v
DD
=
−
20 v;
I
D
=
−
1 一个; r
L
=20
Ω
−
50 140 ns
源-流 二极管
V
SD
源-流 二极管 向前 电压 V
GD
= 0; i
S
=
−
1.25 一个
−−−
1.6 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
S
=
−
1.25 一个; di/dt = 100 一个/
µ
s
−
150 200 ns
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