BSP250_集成电路资料查询网

1997 六月 20 5
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管
BSP250
图.4 电容 作 一个 函数 的 流 源
电压; 典型 值.
V
GS
=0.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
600
400
200
0
−
10
−
20
−
30
MBE144
C
(pf)
V
DS
(v)
C
iss
C
oss
C
rss
图.5  输出 特性; 典型 值.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
−
2
−
10
−
12
−
10
−
12
−
8
−
6
−
2
0
−
4
MBE149
−
4
−
6
−
8
v      (v)
DS
I
D
(一个)
V
gs =
−
10 v
−
6 v
−
5 v
−
4.5 v
−
4 v
−
3.5 v
−
3 v
−
2.5 v
−
7.5 v
图.6  转移 典型的, 典型 值.
V
DS
=
−
10 v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
−
2
−
4
−
8
−
16
−
12
−
4
0
−
8
MBE150
−
6
I
D
(一个)
V
GS
(v)
图.7 门-源 电压 作 一个 函数 的 总的
门 承担.
V
DD
=
−
15 v.
I
D
=
−
3a.
handbook, halfpage
0
−
2
−
4
−
10
−
8
−
10
0
−
8
MBE145
−
6
−
6
−
4
−
2
Q
g
(nc)
V
GS
(v)

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1997 六月 20 5 飞利浦半导体产品规格 p-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP250 图.4 电容作一个函数的流源电压; 典型值. V GS =0. T j =25 ° c. handbook, halfpage 0 600 400 200 0 − 10 − 20 − 30 MBE144 C (pf) V DS (v) C iss C oss C rss 图.5 输出特性; 典型值. T j =25 ° c. handbook, halfpage 0 − 2 − 10 − 12 − 10 − 12 − 8 − 6 − 2 0 − 4 MBE149 − 4 − 6 − 8 v (v) DS I D (一个) V gs = − 10 v − 6 v − 5 v − 4.5 v − 4 v − 3.5 v − 3 v − 2.5 v − 7.5 v 图.6 转移典型的, 典型值. V DS = − 10 v. T j =25 ° c. handbook, halfpage 0 − 2 − 4 − 8 − 16 − 12 − 4 0 − 8 MBE150 − 6 I D (一个) V GS (v) 图.7 门-源电压作一个函数的总的门承担. V DD = − 15 v. I D = − 3a. handbook, halfpage 0 − 2 − 4 − 10 − 8 − 10 0 − 8 MBE145 − 6 − 6 − 4 − 2 Q g (nc) V GS (v)

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