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1996 8月 05 7
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管
BSP255
图.9 流 源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 门-源 电压; 典型 值.
V
DS
≥
I
D
×
R
DSon
; t
j
=25
°
c.
(1) I
D
=
−
10 毫安.
(2) I
D
=
−
50 毫安.
(3) I
D
=
−
80 毫安.
(4) I
D
=
−
160 毫安.
(5) I
D
=
−
325 毫安.
handbook, halfpage
−
10
V
GS
(v)
0
MBH437
10
2
10
−
2
−
4
−
6
R
DSon
(
Ω
)
−
8
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
图.10 电容 作 一个 函数 的 流-源
电压; 典型 值.
V
GS
= 0; f = 1 mhz; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
120
160
80
40
0
−
10
−
20
−
50
−
40
−
30
MBH442
C
(pf)
V
DS
(v)
C
rss
C
iss
C
oss
图.11  切换 时间 测试 电路 和 输入 和 输出 波形.
handbook, 全部 pagewidth
MGD391
10 %
90 %
V
在
V
输出
t
d(在)
t
在
t
止
t
r
t
f
t
d(止)
10 %
90 %
10 %
90 %
0
0
−
V
DD
R
L
V
输出
V
在

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1996 8月 05 7 飞利浦半导体产品规格 p-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP255 图.9 流源在-状态阻抗作一个函数的门-源电压; 典型值. V DS ≥ I D × R DSon ; t j =25 ° c. (1) I D = − 10 毫安. (2) I D = − 50 毫安. (3) I D = − 80 毫安. (4) I D = − 160 毫安. (5) I D = − 325 毫安. handbook, halfpage − 10 V GS (v) 0 MBH437 10 2 10 − 2 − 4 − 6 R DSon ( Ω ) − 8 (1) (2) (3) (4) (5) 图.10 电容作一个函数的流-源电压; 典型值. V GS = 0; f = 1 mhz; t j =25 ° c. handbook, halfpage 0 120 160 80 40 0 − 10 − 20 − 50 − 40 − 30 MBH442 C (pf) V DS (v) C rss C iss C oss 图.11 切换时间测试电路和输入和输出波形. handbook, 全部 pagewidth MGD391 10 % 90 % V 在 V 输出 t d(在) t 在 t 止 t r t f t d(止) 10 % 90 % 10 % 90 % 0 0 − V DD R L V 输出 V 在

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