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1996 8月 05 8
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管
BSP255
图.12 温度 系数 的 门-源
门槛 电压 作 一个 函数 的
接合面 温度; 典型 值.
V
GSth
在 v
DS
=V
GS
; i
D
=
−
1 毫安.
k
V
GSth
在 T
j
V
GSth
在 25
°
C
--------------------------------------
=
handbook, halfpage
−
75
−
25 175
1.4
k
1.2
0.8
0.6
1.0
MBH438
25 75 125
T
j
(
°
c)
图.13 温度 系数 的 流-源
在-状态 阻抗 作 一个 函数 的
接合面 温度; 典型 值.
(1) V
GS
=
−
4.5 v; i
D
=
−
80 毫安.
(2) V
GS
=
−
2.8 v; i
D
=
−
50 毫安.
k
R
DSon
在 T
j
R
DSon
在 25
°
C
-----------------------------------------
=
handbook, halfpage
−
75
−
25 175
2.4
2.0
k
1.6
(1)
(2)
0.4
1.2
0.8
MBH439
25 75 125
T
j
(
°
c)

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1996 8月 05 8 飞利浦半导体产品规格 p-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP255 图.12 温度系数的门-源门槛电压作一个函数的接合面温度; 典型值. V GSth 在 v DS =V GS ; i D = − 1 毫安. k V GSth 在 T j V GSth 在 25 ° C -------------------------------------- = handbook, halfpage − 75 − 25 175 1.4 k 1.2 0.8 0.6 1.0 MBH438 25 75 125 T j ( ° c) 图.13 温度系数的流-源在-状态阻抗作一个函数的接合面温度; 典型值. (1) V GS = − 4.5 v; i D = − 80 毫安. (2) V GS = − 2.8 v; i D = − 50 毫安. k R DSon 在 T j R DSon 在 25 ° C ----------------------------------------- = handbook, halfpage − 75 − 25 175 2.4 2.0 k 1.6 (1) (2) 0.4 1.2 0.8 MBH439 25 75 125 T j ( ° c)

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