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1998 Apr 01 3
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP121
比率
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
热的 阻抗
便条
1. 设备 挂载 在 一个 环氧的 打印-电路 板 40 mm
×
40 mm
×
1.5 mm; 挂载 垫子 为 这 流 含铅的
最小值 6 cm
2
.
流-源 电压 V
DS
最大值 200 V
门-源 电压 (打开 流)
±
V
GSO
最大值 20 V
流 电流 (直流) I
D
最大值 350 毫安
流 电流 (顶峰) I
DM
最大值 1.2 一个
总的 电源 消耗 向上 至
T
amb
=25
°
c (便条 1) P
tot
最大值 1.5 W
存储 温度 范围 T
stg
−
65 至 + 150
°
C
接合面 温度 T
j
最大值 150
°
C
从 接合面 至 包围的 (便条 1) R
thj-一个
= 83.3 k/w

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1998 Apr 01 3 飞利浦半导体产品规格 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP121 比率限制的值在一致和这绝对最大系统 (iec 134) 热的阻抗便条 1. 设备挂载在一个环氧的打印-电路板 40 mm × 40 mm × 1.5 mm; 挂载垫子为这流含铅的最小值 6 cm 2 . 流-源电压 V DS 最大值 200 V 门-源电压 (打开流) ± V GSO 最大值 20 V 流电流 (直流) I D 最大值 350 毫安流电流 (顶峰) I DM 最大值 1.2 一个总的电源消耗向上至 T amb =25 ° c (便条 1) P tot 最大值 1.5 W 存储温度范围 T stg − 65 至 + 150 ° C 接合面温度 T j 最大值 150 ° C 从接合面至包围的 (便条 1) R thj-一个 = 83.3 k/w

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