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资料编号:180706
 
资料名称:BSP128
 
文件大小: 50.8K
   
说明
 
介绍:
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
april 1995 3
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP128
特性
T
j
= 25
°
C 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 I
D
= 10
µ
一个; V
GS
= 0 200
−−
V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
= 160 v; V
GS
= 0
−−
1
µ
一个
±
I
GSS
门-源 泄漏 电流
±
V
GS
= 20 v; V
DS
= 0
−−
100 nA
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; V
GS
= v
DS
0.4
1.8 V
R
ds(在)
流-源 在-阻抗 I
D
= 100 毫安; V
GS
= 2.8 V
58
Y
fs
转移 admittance I
D
= 300 毫安; V
DS
= 25 V 200 400
mS
C
iss
输入 电容 V
DS
= 25 v; V
GS
= 0; f = 1 MHz
50 80 pF
C
oss
输出 电容 V
DS
= 25 v; V
GS
= 0; f = 1 MHz
20 30 pF
C
rss
反馈 电容 V
DS
= 25 v; V
GS
= 0; f = 1 MHz
510pF
切换 时间 (看 figs
2
3
)
t
转变-在 时间 I
D
= 250 毫安; V
DD
= 50 v;
V
GS
= 0 至 10 V
510ns
t
转变-止 时间 I
D
= 250 毫安; v
DD
= 50 v;
V
GS
= 0 至 10 V
20 30 ns
图.2 切换 时间 测试 电路.
V
DD
=50v.
handbook, halfpage
MBB691
50
V
DD
= 50 v
I
D
10 v
0 v
图.3 输入 和 输出 波形.
handbook, halfpage
MBB692
10 %
90 %
90 %
10 %
t
t
输出
输入
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