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手机版
资料编号:180706
资料名称:
BSP128
文件大小: 50.8K
说明
:
介绍
:
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
april 1995
3
飞利浦 半导体
产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP128
特性
T
j
= 25
°
C
除非 否则 specified.
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
V
(br)dss
流-源 损坏 电压
I
D
= 10
µ
一个;
V
GS
= 0
200
−−
V
I
DSS
流-源 泄漏 电流
V
DS
= 160
v;
V
GS
= 0
−−
1
µ
一个
±
I
GSS
门-源 泄漏 电流
±
V
GS
= 20
v;
V
DS
= 0
−−
100
nA
V
gs(th)
门-源 门槛 电压
I
D
= 1
毫安;
V
GS
= v
DS
0.4
−
1.8
V
R
ds(在)
流-源 在-阻抗
I
D
= 100
毫安;
V
GS
= 2.8
V
−
58
Ω
Y
fs
转移 admittance
I
D
= 300
毫安;
V
DS
= 25
V
200
400
−
mS
C
iss
输入 电容
V
DS
= 25
v;
V
GS
= 0;
f = 1
MHz
−
50
80
pF
C
oss
输出 电容
V
DS
= 25
v;
V
GS
= 0;
f = 1
MHz
−
20
30
pF
C
rss
反馈 电容
V
DS
= 25
v;
V
GS
= 0;
f = 1
MHz
−
510pF
切换 时间 (看 figs
2
和
3
)
t
在
转变-在 时间
I
D
= 250
毫安;
V
DD
= 50
v;
V
GS
=
0 至 10
V
−
510ns
t
止
转变-止 时间
I
D
= 250
毫安; v
DD
= 50
v;
V
GS
=
0 至 10
V
−
20
30
ns
图.2 切换 时间 测试 电路.
V
DD
=50v.
handbook, halfpage
MBB691
50
Ω
V
DD
= 50 v
I
D
10 v
0 v
图.3 输入 和 输出 波形.
handbook, halfpage
MBB692
10 %
90 %
90 %
10 %
t
在
t
止
输出
输入
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