1995 apr 24 6
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管
BSP145
图.10 流-源 在-状态 阻抗 作 一个
函数 的 流 电流; 典型 值.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
20
40
60
110 1010
I
D
(一个)
V
GS
= 4 v
4.5 v
5 v
10 v
MGC437
3 2 1
6 v
R
DS
(
Ω
)
在
图.11 温度 系数 的 门-源
门槛 电压.
I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
.
k
V
GSth
在 T
j
V
GSth
在 25
°
C
----------------------------------------
=
handbook, halfpage
0.6
0.8
1.0
1.2
50 15050
k
t ( c)
j
o
MGC434
图.12 温度 系数 的 流-源
在-状态 阻抗.
k
R
DSon
在 T
j
R
DSon
在 25
°
C
-----------------------------------------
=
handbook, halfpage
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0 50 100 150
k
T
j
(
°
c)
MLC695
−
50