BSS84LT1
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典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (ohms
图示 3. on−resistance 相比 流 电流
0 0.2 0.4 0.6
2
5
6
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 5. on−resistance 变化 和 温度
1
0.001
0.1
1
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. 门 承担
V
SD
, 二极管 向前 电压 (伏特)
图示 7. 身体 二极管 向前 电压
I
D
, 二极管 电流 (放大器)
25
°
C
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 10 v
I
D
= 0.52 一个
−55 −5 45 95 145
T
J
= 150
°
C
4
0.6
0.8
0 0.5 1.0 1.5
3
0.01
−55
°
C25
°
C
2.0
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (ohms
0 0.2 0.4 0.6
2
5
6
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
= 10 v
4
3
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
0
6
2
0
Q
T
, 总的 门 承担 (pc)
8
4
500
V
DS
= 40 v
T
J
= 25
°
C
1000
I
D
= 0.5 一个
1500
0.1 0.3 0.5
150
°
C
−55
°
C
7
4.5
5.5
3.5
2.5
6.5
0.1 0.3 0.5
1.2
2
1.4
1.6
1.8
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 0.13 一个
2000
2.5 3.0
150
°
C
25
°
C
−55
°
C
8
9
7
5
1
7
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