BSS138LT1
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典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
图示 1. on−region 特性
1
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 2. 转移 特性
图示 3. on−resistance 变化 和
温度
V
GS
= 10 v
I
D
= 0.8 一个
−55 −5 45 95
145
0.6
0.8
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
0
4
0
Q
T
, 总的 门 承担 (pc)
8
500
V
DS
= 40 v
T
J
= 25
°
C
1000
I
D
= 200 毫安
1500
1.2
2
1.4
1.6
1.8
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 0.5 一个
2000
10
2
6
V
gs(th)
, variance (伏特)
1
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
I
D
= 1.0 毫安
−55 −5 45 95 145
0.75
0.875
1.125
1.25
0
0.3
0.4
0.1
0.6
0.2
图示 4. 门槛 电压 变化
和 温度
1 1.5 2 2.5 3
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 5. 门 承担
V
DS
= 10 v
150
°
C
25
°
C
−55
°
C
3.5
0.5
4
024 10
0
0.3
0.4
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
6
0.1
8
0.6
0.2
0.5
13 957
V
GS
= 3.25 v
V
GS
= 2.75 v
V
GS
= 2.5 v
V
GS
= 3.0 v
V
GS
= 3.5 v
0.7
0.8
T
J
= 25
°
C
0.7
0.8
0.9
4.50.50
2.2
−30 20 70 120
2500 3000