飞利浦 半导体 产品 规格
Triacs bt132 序列 d
逻辑 水平的
一般 描述 快 涉及 数据
Glass 钝化的, 敏感的 门
标识 参数 最大值 最大值 单位
triacs 在 一个 塑料 封套, 将
为 使用 在 一般 目的
bt132- 500D 600D
双向的 切换 和 阶段 V
DRM
repetitive 顶峰 止-状态 电压 500 600 V
控制 产品. 这些 设备 I
t(rms)
rms 在-状态 电流 1 1 一个
是 将 至 是 连接 直接地 I
TSM
非-repetitive 顶峰 在-状态 电流 16 16 一个
至 微控制器, 逻辑 整体的
电路 和 其它 低 电源 门
触发 电路.
固定 - to92 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 主要的 终端 2
2 门
3 主要的 终端 1
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
-500 -600
V
DRM
repetitive 顶峰 止-状态 - 500
1
600
1
V
电压
I
t(rms)
rms 在-状态 电流 全部 sine 波; t
含铅的
≤
51 ˚c - 1 一个
I
TSM
非-repetitive 顶峰 全部 sine 波; t
j
= 25 ˚c 较早的 至
在-状态 电流 surge
t = 20 ms - 16 一个
t = 16.7 ms - 17.6 一个
I
2
德州仪器
2
t 为 fusing t = 10 ms - 1.28 一个
2
s
dI
T
/dt repetitive 比率 的 上升 的 I
TM
= 1.5 一个; i
G
= 0.2 一个;
在-状态 电流 之后 dI
G
/dt = 0.2 一个/
µ
s
triggering t2+ g+ - 50 一个/
µ
s
t2+ g- - 50 一个/
µ
s
t2- g- - 50 一个/
µ
s
t2- g+ - 10 一个/
µ
s
I
GM
顶峰 门 电流 - 2 一个
V
GM
顶峰 门 电压 - 5 V
P
GM
顶峰 门 电源 - 5 W
P
g(av)
平均 门 电源 在 任何 20 ms 时期 - 0.5 W
T
stg
存储 温度 -40 150 ˚C
T
j
运行 接合面 - 125 ˚C
温度
T1T2
G
321
1
虽然 不 推荐, 止-状态 电压 向上 至 800v 将 是 应用 没有 损坏, 但是 这 triac 将
转变 至 这 在-状态. 这 比率 的 上升 的 电流 应当 不 超过 3 一个/
µ
s.
january 1998 1 rev 1.000