飞利浦 半导体 产品 规格
Triacs bt132 序列 d
逻辑 水平的
图.1. 最大 在-状态 消耗, p
tot
, 相比 rms
在-状态 电流, i
t(rms)
, 在哪里
α
= 传导 角度.
图.2. 最大 容许的 非-repetitive 顶峰
在-状态 电流 i
TSM
, 相比 脉冲波 宽度 t
p
, 为
sinusoidal 电流, t
p
≤
20ms.
图.3. 最大 容许的 非-repetitive 顶峰
在-状态 电流 i
TSM
, 相比 号码 的 循环, 为
sinusoidal 电流, f = 50 hz.
图.4. 最大 容许的 rms 电流 i
t(rms)
,
相比 含铅的 温度 t
含铅的
.
图.5. 最大 容许的 repetitive rms 在-状态
电流 i
t(rms)
, 相比 surge 持续时间, 为 sinusoidal
电流, f = 50 hz; t
含铅的
≤
51˚c.
图.6. normalised 门 触发 电压
V
GT
(t
j
)/ v
GT
(25˚c), 相比 接合面 温度 t
j
.
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
=180
120
90
60
30
BT132D
0
0
它(rms) / 一个
ptot / w
tmb(最大值) / c
125
1
113
101
89
77
65
53
41
-50 0 50 100 150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
BT132D
51 c
tmb / c
它(rms) / 一个
10us 100us 1ms 10ms 100ms
10
100
1000
BT132D
t / s
itsm / 一个
T
I
TSM
时间
I
tj 最初的 = 25 c 最大值
T
t2- g+ quadrant
di /dt 限制
T
0.01 0.1 1 10
0
0.5
1
1.5
24
2.5
3
BT132D
surge 持续时间 / s
它(rms) / 一个
10 100 1000
0
BT136
号码 的 循环 在 50hz
itsm / 一个
T
I
TSM
时间
I
tj 最初的 = 25 c 最大值
T
5
10
15
20
-50 0 50 100 150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
BT136
tj / c
vgt(tj)
vgt(25 c)
january 1998 3 rev 1.000