飞利浦 半导体 产品 规格
Triacs bt136s 序列
bt136m 序列
热的 抵制
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th j-mb
热的 阻抗 全部 循环 - - 3.0 k/w
接合面 至 挂载 根基 half 循环 - - 3.7 k/w
R
th j-一个
热的 阻抗 pcb (fr4) 挂载; footprint 作 在 图.14 - 75 - k/w
接合面 至 包围的
静态的 特性
T
j
= 25 ˚c 除非 否则 陈述
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
bt136s- ... ...f ...g
I
GT
门 触发 电流 V
D
= 12 v; i
T
= 0.1 一个
t2+ g+ - 5 35 25 50 毫安
t2+ g- - 8 35 25 50 毫安
t2- g- - 11 35 25 50 毫安
t2- g+ - 30 70 70 100 毫安
I
L
闭锁 电流 V
D
= 12 v; i
GT
= 0.1 一个
t2+ g+ - 7 20 20 30 毫安
t2+ g- - 16 30 30 45 毫安
t2- g- - 5 20 20 30 毫安
t2- g+ - 7 30 30 45 毫安
I
H
支持 电流 V
D
= 12 v; i
GT
= 0.1 一个 - 5 15 15 30 毫安
V
T
在-状态 电压 I
T
= 5 一个 - 1.4 1.70 V
V
GT
门 触发 电压 V
D
= 12 v; i
T
= 0.1 一个 - 0.7 1.5 V
V
D
= 400 v; i
T
= 0.1 一个; 0.25 0.4 - V
T
j
= 125 ˚c
I
D
止-状态 泄漏 电流 V
D
= v
drm(最大值)
; - 0.1 0.5 毫安
T
j
= 125 ˚c
动态 特性
T
j
= 25 ˚c 除非 否则 陈述
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BT136S
(或者 bt136m)
- ... ...f ...g
dV
D
/dt 核心的 比率 的 上升 的 V
DM
= 67% v
drm(最大值)
; 100 50 200 250 - v/
µ
s
止-状态 电压 T
j
= 125 ˚c; exponential
波形; 门 打开
电路
dV
com
/dt 核心的 比率 的 改变 的 V
DM
= 400 v; t
j
= 95 ˚c; - - 10 50 - v/
µ
s
commutating 电压 I
t(rms)
= 4 一个;
dI
com
/dt = 1.8 一个/ms; 门
打开 电路
t
gt
门 控制 转变-在 I
TM
= 6 一个; v
D
= v
drm(最大值)
;- - - 2 -
µ
s
时间 I
G
= 0.1 一个; di
G
/dt = 5 一个/
µ
s
october 1997 2 rev 1.100
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