飞利浦 半导体 产品 规格
Thyristors bt258 序列
逻辑 水平的
一般 描述 快 涉及 数据
Glass 钝化的, 敏感的 门
标识 参数 最大值 最大值 最大值 单位
thyristors 在 一个 塑料 封套,
将 为 使用 在 一般 目的
bt258- 500R 600R 800R
切换 和 阶段 控制 V
DRM
, repetitive 顶峰 止-状态 500 600 800 V
产品. 这些 设备 是 V
RRM
电压
将 至 是 连接 直接地 至 I
t(av)
平均 在-状态 电流 5 5 5 一个
微控制器, 逻辑 整体的 I
t(rms)
rms 在-状态 电流 8 8 8 一个
电路 和 其它 低 电源 门 I
TSM
非-repetitive 顶峰 在-状态 75 75 75 一个
触发 电路. 电流
固定 - to220ab 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 cathode
2 anode
3 门
tab anode
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
-500r -600r -800r
V
DRM
, v
RRM
repetitive 顶峰 止-状态 - 500
1
600
1
800 V
电压
I
t(av)
平均 在-状态 电流 half sine 波; t
mb
≤
111 ˚c - 5 一个
I
t(rms)
rms 在-状态 电流 所有 传导 angles - 8 一个
I
TSM
非-repetitive 顶峰 half sine 波; t
j
= 25 ˚c 较早的 至
在-状态 电流 surge
t = 10 ms - 75 一个
t = 8.3 ms - 82 一个
I
2
德州仪器
2
t 为 fusing t = 10 ms - 28 一个
2
s
dI
T
/dt repetitive 比率 的 上升 的 I
TM
= 10 一个; i
G
= 50 毫安; - 50 一个/
µ
s
在-状态 电流 之后 dI
G
/dt = 50 毫安/
µ
s
triggering
I
GM
顶峰 门 电流 - 2 一个
V
GM
顶峰 门 电压 - 5 V
V
RGM
顶峰 反转 门 电压 - 5 V
P
GM
顶峰 门 电源 - 5 W
P
g(av)
平均 门 电源 在 任何 20 ms 时期 - 0.5 W
T
stg
存储 温度 -40 150 ˚C
T
j
运行 接合面 - 125
2
˚C
温度
ak
g
123
tab
1
虽然 不 推荐, 止-状态 电压 向上 至 800v 将 是 应用 没有 损坏, 但是 这 thyristor 将
转变 至 这 在-状态. 这 比率 的 上升 的 电流 应当 不 超过 15 一个/
µ
s.
2
便条: 运作 在之上 110˚c 将 需要 这 使用 的 一个 门 至 cathode 电阻 的 1k
Ω
或者 较少.
october 1997 1 rev 1.200
: 点此下载
