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2n5551 / mmbt5551
典型 特性
npn 一般 目的 放大器
(持续)
集电级-发射级 饱和
电压 vs 集电级 电流
P16
1 10 100 200
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
i   - 集电级 电流  (毫安)
v       - 集电级 发射级 电压 (v)
C
CESAT
25 °c
- 40 ºc
125 ºc
β
= 10
根基-发射级 饱和
电压 vs 集电级 电流
1 10 100 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
i   - 集电级 电流  (毫安)
v       - 根基 发射级 电压 (v)
C
BESAT
β
= 10
25
°
C
- 40
º
C
125
º
C
典型 搏动 电流 增益
vs 集电级 电流
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
0
50
100
150
200
250
i   - 集电级 电流  (毫安)
h    - 典型 搏动 电流 增益
C
FE
125
°
C
25
°
C
- 40
°
C
vce = 5v
根基 发射级 在 电压 vs
集电级 电流
0.1 1 10 100 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
i   - 集电级 电流  (毫安)
v        - 根基 发射级 在 电压 (v)
C
BEON
v     = 5v
CE
25
°
C
- 40
º
C
125
º
C
集电级-截止 电流
vs. 包围的 温度
P
25 50 75 100 125
1
10
50
t  - 包围的 温度 (  c)
i     - 集电级 电流 (na)
一个
CBO
º
v    = 100v
CB
集电级-发射级 损坏
电压 和 阻抗
在 发射级-根基
0.1 1 10 100 1000
160
180
200
220
240
260
阻抗 (k   )
bv       - 损坏 电压 (v)
Ω
CER
i     = 1.0 毫安
C

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2n5551 / mmbt5551 典型特性 npn 一般目的放大器 (持续) 集电级-发射级饱和电压 vs 集电级电流 P16 1 10 100 200 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 i - 集电级电流 (毫安) v - 集电级发射级电压 (v) C CESAT 25 °c - 40 ºc 125 ºc β = 10 根基-发射级饱和电压 vs 集电级电流 1 10 100 200 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 i - 集电级电流 (毫安) v - 根基发射级电压 (v) C BESAT β = 10 25 ° C - 40 º C 125 º C 典型搏动电流增益 vs 集电级电流 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 0 50 100 150 200 250 i - 集电级电流 (毫安) h - 典型搏动电流增益 C FE 125 ° C 25 ° C - 40 ° C vce = 5v 根基发射级在电压 vs 集电级电流 0.1 1 10 100 200 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 i - 集电级电流 (毫安) v - 根基发射级在电压 (v) C BEON v = 5v CE 25 ° C - 40 º C 125 º C 集电级-截止电流 vs. 包围的温度 P 25 50 75 100 125 1 10 50 t - 包围的温度 ( c) i - 集电级电流 (na) 一个 CBO º v = 100v CB 集电级-发射级损坏电压和阻抗在发射级-根基 0.1 1 10 100 1000 160 180 200 220 240 260 阻抗 (k ) bv - 损坏电压 (v) Ω CER i = 1.0 毫安 C

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