PROFET
®
bts 740 s2
半导体 组 4 2003-oct-01
电的 特性
参数 一个nd 情况,
各自 的 这 二 途径
标识 值 单位
在 t
j
= -40...+150°c,
V
bb
= 12 v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
加载 切换 能力 和 特性
在-状态 阻抗 (v
bb
至 输出);
I
L
= 5 一个
各自 频道,
T
j
= 25°c:
T
j
= 150°c:
二 并行的 途径,
T
j
= 25°c:
R
在
--
27
54
14
30
60
15
m
Ω
输出 电压 漏出 限制 在 小 加载
电流,
see 页 14
I
L
= 0.5 一个
T
j
=-40...+150°c:
V
在(nl)
--
50 -- mV
名义上的 加载 电流
一个 频道 起作用的:
二 并行的 途径 起作用的:
设备 在 pcb
6
)
,
T
一个
=
85°c,
T
j
≤
150°C
I
l(nom)
4.9
7.8
5.5
8.5
-- 一个
输出 电流
当 地 disconnected 或者 牵引的
向上
7
)
;
V
bb
= 30 v,
V
在
= 0,see diagram 页 10
I
l(gndhigh)
-- --8 毫安
转变-在 时间
8
)
在
至 90%
V
输出
:
转变-止 时间 在
至 10%
V
输出
:
R
L
=
12
Ω
t
在
t
止
25
25
70
80
150
200
µ
s
回转 比率 在
8)
10 至 30%
V
输出
,
R
L
=
12
Ω
:
d
V
/dt
在
0.1 -- 1 v/
µ
s
回转 比率 止
8)
70 至 40%
V
输出
,
R
L
=
12
Ω
:
-d
V
/dt
止
0.1-- 1 v/
µ
s
运行 参数
运行 电压
9
)
V
bb(在)
5.0 --
34 V
欠压 关闭
V
bb(下面)
3.2 -- 5.0 V
欠压 重新开始
T
j
=-40...+25°c:
T
j
=+150°c:
V
bb(u rst)
-- 4.5 5.5
6.0
V
欠压 重新开始 的 承担 打气
看 diagram页 13
T
j
=-40...+25°c:
T
j
=150°c:
V
bb(ucp)
--
--
4.7
--
6.5
7.0
V
欠压 hysteresis
∆
V
bb(下面)
=
V
bb(u rst)
-
V
bb(下面)
∆
V
bb(下面)
-- 0.5 -- V
超（电）压 关闭
V
bb(在)
34 -- 43 V
超（电）压 重新开始
V
bb(o rst)
33 -- -- V
6
)
设备 在 50mm*50mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm
2
(一个 layer, 70
µ
m 厚) 铜 范围 为 v
bb
connection. pcb 是vertical 没有 blown air.看 页 15
7
)
不 主题 至 生产 测试, 指定 用 设计
8
)
看 定时 diagram 在 页 11.
9)
在 供应 电压 增加 向上 至
V
bb
= 4.7 v 典型值 没有 承担 打气,
V
输出
≈
V
bb
- 2 v
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