2004-01-27
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bts 4141d
smart 高-一侧 电源 转变
1 频道: 1 x 200
m
Ω
特性
•
短的 电路 保护
•
电流 限制
•
超载 保护
•
超（电）压 保护 (包含 加载 丢弃)
•
欠压 关闭 和 自动-
重新开始 和 hysteresis
•
切换 inductive 负载
•
clamp 的 负的 电压 在 输出
和 inductive 负载
•
cmos 兼容 输入
•
热的 关闭 和 重新开始
•
静电释放 - 保护
•
丧失 的 地 和 丧失 的
V
bb
保护
•
非常 低 备用物品 电流
•
反转 电池 保护 和 外部 电阻
•
改进 电磁的 兼容性 (emc)
产品 summary
超（电）压 保护
V
bb(az)
47 V
运行 电压
V
bb(在)
12...45 V
在-状态 阻抗
R
在
200 m
Ω
p-to252-5-1
应用
•
所有 类型 的 resistive, inductive 和 电容的 负载
•
µc 兼容 电源 转变 为 12 v 和 24 v 直流 产品
•
替代 electromechanical 接转 和 分离的 电路
一般 描述
n 频道 vertical 电源 场效应晶体管 和 承担 打气, 地面 关联 cmos 兼容 输入,
monolithically 整体的 在 smart sipmos
技术.
供应 embedded protective 功能.
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