bts 410 d2
半导体 组 7
短的 电路 发现
故障 情况:
V
在
> 8.5 v 典型值.; 在 高
短的 电路
发现
逻辑
单位
+ v
bb
输出
V
在
inductive 和 超(电)压 输出 clamp
+ v
bb
输出
地
PROFET
V
Z
V
在
V
在
clamped 至 68 v 典型值
overvolt. 和 反转 batt. 保护
+ v
bb
在
ST
ST
R
在
R
地
地
R
信号 地
逻辑
PROFET
V
Z2
V
Z1
V
Z1
= 6.2 v 典型值.,
V
Z2
= 70 v 典型值.,
R
地
= 150
Ω
, r
在
,
R
ST
= 15 k
Ω
打开-加载 发现
在-状态 diagnostic 情况:
V
在
<
R
在
*
I
l(ol)
; 在
高
打开 加载
发现
逻辑
单位
+ v
bb
输出
在
V
在
地 disconnect
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
bb
1
2
4
3
5
V
在
V
ST
V
地
任何 kind 的 加载. 在 情况 的 输入=高 是
V
输出
≈
V
在
-
V
在(t+)
.
预定的 至 v
地
>0, 非 v
ST
= 低 信号 有.
地 disconnect 和 地 拉 向上
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
bb
1
2
4
3
5
V
地
V
在
V
ST
任何 kind 的 加载. 如果 v
地
>
V
在
-
V
在(t+)
设备 stays 止
预定的 至 v
地
>0, 非 v
ST
= 低 信号 有.