bts 410 d2
半导体 组 9
选项 overview
所有 版本: 高-一侧 转变, 输入 保护, 静电释放 protection, 加载 丢弃 和
反转 电池 保护 和 150
Ω
在 地 连接, 保护 相反 丧失 的
地面
类型
BTS
412 b2
410D2
410E2 410F2 410G2 410H2 307 308
逻辑 版本
B
D
EFGH
overtemperature 保护 和 hysteresis
T
j
>150 °c, 获得 函数
17
)
18
)
T
j
>150 °c, 和 自动-重新开始 在 冷却
X
X
X
X
X
X
X
X
短的 电路 至 地 保护
switches 止 当
V
在
>3.5 v 典型值 和
V
bb
> 7 v
典型值
17
)
(当 第一 转变 在 之后 approx. 150
µ
s)
XX
switches 止 当
V
在
>8.5 v 典型值
17)
(当 第一 转变 在 之后 approx. 150
µ
s)
达到 通过 overtemperature 保护
X
X
XX
X
X
打开 加载 发现
在 止-状态 和 感觉到 电流 30
µ
一个 典型值
在 在-状态 和 感觉到 电压 漏出 横过
电源 晶体管
X
X
XXX
XXX
欠压 关闭 和 自动 重新开始
X
X
XXXXXX
超（电）压 关闭 和 自动 重新开始
19
)
X
X
XXXX - X
状态 反馈 为
overtemperature
短的 电路 至 地
短的 至 v
bb
打开 加载
欠压
超（电）压
X
X
X
X
X
X
X
X
-
20)
X
X
X
X
X
-
20
)
X
-
-
X
X
-
20)
X
-
-
X
-
-
20)
X
-
-
X
X
X
X
-
-
X
X
X
X
X
-
X
X
X
X
-
-
状态 输出 类型
CMOS
打开 流
X
X
XXXXXX
输出 负的 电压 瞬时 限制
(快 inductive 加载 转变 止)
至
V
bb
-
V
在(cl)
X
X
XXXXXX
加载 电流 限制
高 水平的
(能 handle 负载 和 高 inrush 电流)
低 水平的
(更好的 保护 的 应用)
X
X
X
XXXXX
保护 相反 丧失 的 地
X
X
XXXXXX
17
)
获得 除了 当
V
bb
-
V
输出
<
V
在(sc)
之后 关闭. 在 大多数 具体情况
V
输出
= 0 v 之后 关闭 (
V
输出
≠
0 v 仅有的 如果 强迫 externally). 所以 这 设备 仍然是 latched 除非
V
bb
<
V
在(sc)
(看 页 4). 非 获得
在 转变 在 和 t
d(sc)
.
18)
和 获得 函数. reseted 用 一个) 输入 低, b) 欠压
19
)
非 自动 重新开始 之后 超（电）压 在 情况 的 短的 电路
20
)
低 阻抗 短的
V
bb
至 输出 将 是 发现 在 在-状态 用 这 非-加载-发现
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