BTS712N1
半导体 组 9
2004-三月-11
输入 电路 (静电释放 保护),
in1...4
在
地
I
R
静电释放-zd
I
I
I
静电释放 齐纳 二极管 是 不 至 是 使用 作 电压 clamp 在
直流 情况. 运作 在 这个 模式 将 结果 在 一个 逐渐变化 的
这 齐纳 电压 (增加 的 向上 至 1 v).
状态 输出,
st1/2 或者 st3/4
ST
地
静电释放-
ZD
+5V
R
st(在)
静电释放-齐纳 二极管: 6.1
v 典型值., 最大值 5.0 毫安; r
st(在)
< 380
Ω
在 1.6 毫安, 静电释放 齐纳 二极管 是 不 至 是 使用 作 电压
clamp 在 直流 情况. 运作 在 这个 模式 将 resul
t
在
一个 逐渐变化 的
这 齐纳 电压 (增加 的 向上 至 1 v).
inductive 和 超（电）压 输出 clamp,
out1...4
+V
bb
输出
PROFET
V
Z
V
在
电源 地
V
在
clamped 至
V
在(cl)
= 47 v 典型值
超（电）压 保护 的 逻辑 部分
gnd1/2 或者 gnd3/4
+ v
bb
在
ST
ST
R
地
地
R
信号 地
逻辑
V
Z2
在
R
I
V
Z1
V
Z1
=
6.1
v 典型值., v
Z2
=
47
v 典型值., r
I
=
3.5
k
Ω
典型值
,
R
地
= 150
Ω
反转 电池 保护
地
逻辑
ST
R
在
ST
± 5v
输出
L
R
电源 地
地
R
信号 地
电源
Inverse
I
R
V
bb
-
二极管
R
地
= 150
Ω,
R
I
= 3.5 k
Ω
典型值
,
温度 保护 是 不起作用的 在 inverse 电流
运作.
打开-加载 发现,
out1...4
止-状态 diagnostic 情况:
V
输出
> 3 v 典型值.; 在 低
打开 加载
发现
逻辑
单位
V
输出
信号 地
I
l(ol)
止
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