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资料编号:183569
 
资料名称:BTS3408G
 
文件大小: 366.8K
   
说明
 
介绍:
Smart Dual Lowside Power Switch
 
 


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HITFET
BTS3408G
数据 薄板 v1.0 11 2002-11-14
安排 emissions
acc. iec 61967-4 (1
/150
方法)
典型值 输出
x
emissions 在 pwm-模式
和 150
-相一致 网络
图示 4 测试 电路 为 安排
emission
1)
安排 susceptibility
acc. i47a/658/cd iec 62132-4 (直接
电源 injection)
直接 电源 injection:
向前 电源
CW
失败 criteria:
振幅 或者 频率
变化 最大值 10% 在 输出
典型值 输出
x
susceptibility 在 直流-开关
和 在 pwm
图示 5 测试 电路 为 安排
susceptibility
2)
1)
为 定义 解耦 和 高 reproducibility 一个
定义 choke (5µh 在 1 mhz) 是 inserted 在
vbb 和 输出-管脚.
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0,1 1 10 100 1000
f / mhz
dBµV
噪音
OUT1
OUT2
150ohm class1
150ohm class6
150
Ω /
8-h
150
Ω /
13-n
3408
OUT2
VS
故障
OUT1
IN1
IN2
ENA
V
BB
R
L1
R
L2
5V
150
ΩΩ
-网络
150
ΩΩ
-网络
2)
broadband artificial 网络 (短的 ban) 组成
的 这 一样 choke (5µh 在 1 mhz) 和 这 一样
150ohm-相一致 网络 作 为 emission
度量 为 定义 解耦 和 高
reproducibility.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1 10 100 1000
f / mhz
dBm
限制
out2, 在
out2, 止
out2, pwm
3408
OUT2
VS
故障
OUT1
IN1
IN2
ENA
V
BB
R
L1
R
L2
HF
B
一个
N
5V
B
一个
N
HF
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