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资料编号:183569
 
资料名称:BTS3408G
 
文件大小: 366.8K
   
说明
 
介绍:
Smart Dual Lowside Power Switch
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 v1.0 9 2002-11-14
HITFET
BTS3408G
emc-特性
这 下列的 emc-特性 外形 这 行为 的 典型 设备. 它们 是 不
部分 的 任何 生产 测试.
表格 3 测试 情况
参数 标识 单位 Remark
温度
T
一个
23
±5
°
C
供应 电压
V
BB
13.5 V
输入 电压 (ena, in1, in2)
V
INx
5V
加载
R
l1 ,
R
L2
27
ohmic
运作 模式 PWM
直流
f
INx
=100hz,
D
=0.5
在 / 止
dut 明确的 所有 tests 和 ena=高
快 电的 过往旅客
acc. 至 iso 7637
测试
1)
脉冲波
1)
这 测试 脉冲 是 应用 在 v
BB
最大值
测试
水平的
测试 结果
脉冲波 循环 时间
和 发生器
阻抗
V
S
和 输出
x
stressed
输出
x
stressed
1 -200v e(-120v) e(-120v) C C 500ms ; 10
2 +200V e(+120v e(+120v C C 500ms ; 10
3a-200vcccc 100ms ; 10
3b+200VCCCC 100ms ; 10
4-7vcccc 0.01
5 175V e(50v) e(65v) e(70v) e(75v) 400ms ; 2
定义 的 函数的 状态
内容
C 所有 功能 的 这 设备 是 执行 作 设计 之后 暴露 至
disturbance.
E 一个 或者 更多 函数 的 一个 设备 做 不 执行 作 设计 之后
暴露 和 能 不 是 returned 至 恰当的 运作 没有 修理
或者 replacing 这 设备. 这 值 之后 这 character 显示 这 限制.
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