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资料编号:183596
 
资料名称:BTS282Z
 
文件大小: 270.86K
   
说明
 
介绍:
Speed TEMPFET(N-Channel Enhancement mode Logic Level Input Potential-free temperature sensor with thyristor characteristics)
 
 


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2000-09-11
4
bts 282 z
电的 特性
参数
标识 单位
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
动态 特性
向前 跨导
V
DS
>2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
= 80 一个
g
fs
30 70 - S
输入 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
- 3850 4800 pF
输出 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
- 1090 1357
反转 转移 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
rss
- 570 715
转变-在 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 80 一个,
R
G
= 1.3
t
d(在)
- 30 45 ns
上升 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 80 一个,
R
G
= 1.3
t
r
- 37 56
转变-止 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 80 一个,
R
G
= 1.3
t
d(止)
- 70 105
下降 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 80 一个,
R
G
= 1.3
t
f
- 36 55
门 承担 特性
门 承担 在 门槛
V
DD
= 40 v, id
=
0,1 一个 ,
V
GS
= 0 至 1 v
Q
g(th)
- 3.8 5.7 nC
门 承担 在 5.0 v
V
DD
= 40 v,
I
D
= 80 一个,
V
GS
= 0 至 5 v
Q
g(5)
- 92 138
门 承担 总的
V
DD
= 40 v,
I
D
= 80 一个,
V
GS
= 0 至 10 v
Q
g(总的)
- 155 232
门 plateau 电压
V
DD
= 40 v,
I
D
= 80 一个
V
(plateau)
- 3.4 - V
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