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资料编号:183596
资料名称:
BTS282Z
文件大小: 270.86K
说明
:
介绍
:
Speed TEMPFET(N-Channel Enhancement mode Logic Level Input Potential-free temperature sensor with thyristor characteristics)
: 点此下载
1
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4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2000-09-11
4
bts 282 z
电的 特性
参数
标识
值
单位
在
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
最小值
典型值
最大值
动态 特性
向前 跨导
V
DS
>2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
= 80 一个
g
fs
30
70
-
S
输入 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
-
3850
4800
pF
输出 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
-
1090
1357
反转 转移 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
rss
-
570
715
转变-在 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 80 一个,
R
G
= 1.3
t
d(在)
-
30
45
ns
上升 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 80 一个,
R
G
= 1.3
t
r
-
37
56
转变-止 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 80 一个,
R
G
= 1.3
t
d(止)
-
70
105
下降 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 80 一个,
R
G
= 1.3
t
f
-
36
55
门 承担 特性
门 承担 在 门槛
V
DD
= 40 v, id
=
≥
0,1 一个 ,
V
GS
= 0 至 1 v
Q
g(th)
-
3.8
5.7
nC
门 承担 在 5.0 v
V
DD
= 40 v,
I
D
= 80 一个,
V
GS
= 0 至 5 v
Q
g(5)
-
92
138
门 承担 总的
V
DD
= 40 v,
I
D
= 80 一个,
V
GS
= 0 至 10 v
Q
g(总的)
-
155
232
门 plateau 电压
V
DD
= 40 v,
I
D
= 80 一个
V
(plateau)
-
3.4
-
V
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