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资料编号:183736
 
资料名称:BU2720DX
 
文件大小: 73.04K
   
说明
 
介绍:
Silicon Diffused Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU2720DX
一般 描述
高 电压, 高-速 切换 npn 晶体管 和 整体的 调节器 二极管 在 一个 塑料 全部-包装 封套.
将 为 使用 在 horizontal deflection 电路 的 colour television 接受者. 设计 至 承受 v
CES
脉冲 向上
至 1700v.
快 涉及 数据
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
= 0 v - 1700 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (打开 根基) - 825 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 10 一个
I
CM
集电级 电流 顶峰 值 - 25 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
hs
25 ˚c - 45 W
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 5.5 一个; i
B
= 1.38 一个 - 1.0 V
I
Csat
集电级 饱和 电流 f = 16 khz 5.5 - 一个
t
s
存储 时间 I
Csat
= 5.5 一个; f = 16khz 7.4 8.5
µ
s
固定 - sot399 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 根基
2 集电级
3 发射级
情况 分开的
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
= 0 v - 1700 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (打开 根基) - 825 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 10 一个
I
CM
集电级 电流 顶峰 值 - 25 一个
I
B
根基 电流 (直流) - 10 一个
I
BM
根基 电流 顶峰 值 - 14 一个
-i
b(av)
反转 根基 电流 平均 在 任何 20 ms 时期 - 150 毫安
-i
BM
反转 根基 电流 顶峰 值
1
-6a
P
tot
总的 电源 消耗 T
hs
25 ˚c - 45 W
T
stg
存储 温度 -65 150 ˚C
T
j
接合面 温度 - 150 ˚C
静电释放 限制的 值
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
C
静电的 释放 电容 电压 人 身体 模型 (250 pf, - 10 kV
1.5 k
)
情况
123
b
c
e
Rbe
1
转变-止 电流.
九月 1997 1 rev 1.300
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