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资料编号:183736
 
资料名称:BU2720DX
 
文件大小: 73.04K
   
说明
 
介绍:
Silicon Diffused Power Transistor
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU2720DX
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-hs
接合面 至 散热器 没有 散热器 复合 - 3.7 k/w
R
th j-hs
接合面 至 散热器 和 散热器 复合 - 2.8 k/w
R
th j-一个
接合面 至 包围的 在 自由 空气 35 - k/w
分开 限制的 值 &放大; 典型的
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
isol
repetitive 顶峰 电压 从 所有 r.h.
65 % ; clean 和 dustfree - 2500 V
三 terminals 至 外部
散热器
C
isol
电容 从 t2 至 外部 f = 1 mhz - 22 - pF
散热器
静态的 特性
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CES
集电级 截-止 电流
2
V
= 0 v; v
CE
= v
CESMmax
- - 1.0 毫安
I
CES
V
= 0 v; v
CE
= v
CESMmax
; - - 2.0 毫安
T
j
= 125 ˚c
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
B
= 600 毫安 7.5 13.5 - V
R
根基-发射级 阻抗 V
EB
= 6 v 65
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 5.5 一个; i
B
= 1.38 一个 - - 1.0 V
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 5.5 一个; i
B
= 1.38 一个 - - 1.0 V
V
F
二极管 向前 电压 I
F
= 5.5 一个 1.6 V
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 1 一个; v
CE
= 5 v 19
h
FE
I
C
= 5.5 一个; v
CE
= 1 v 4 5.5 7.5
动态 特性
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
切换 时间 (16 khz 线条 I
Csat
= 5.5 一个; l
C
= 750
µ
h;
deflection 电路) C
fb
= 15.5 nf; v
CC
= 125 v;
I
b(终止)
= 1.2 一个; l
B
= 6
µ
h; -v
BB
= 4 v;
-i
BM
= i
CM
/2
t
s
转变-止 存储 时间 7.4 8.5
µ
s
t
f
转变-止 下降 时间 0.7 0.9
µ
s
2
量过的 和 half sine-波 电压 (曲线 tracer).
九月 1997 2 rev 1.300
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