飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU2720DX
图.5. 直流 电流 增益. h
FE
= f (i
C
)
参数 t
hs
(低 和 高 增益)
图.6. 典型 集电级-发射级 饱和 电压.
V
CEsat
= f (i
C
); 参数 i
C
/i
B
图.7. 典型 根基-发射级 饱和 电压.
V
BEsat
= f (i
B
); 参数 i
C
图.8. 限制 p
tot
; t
hs
= 85˚c
P
tot
= f (i
b(终止)
); i
C
= 4.5 一个; f = 16 khz
图.9. 限制 p
tot
; t
hs
= 85˚c
P
tot
= f (i
b(终止)
); i
C
= 5.5 一个; f = 16 khz
图.10. 限制 存储 和 下降 时间.
t
s
= f (i
B
); tf = f (i
B
); 参数 i
C
; t
hs
= 85˚c; f = 16 khz
bu2720/22df
0.01 0.1 1 10 100
1
10
100
ths = 25 c
ths = 85 c
vce = 1 v
hFE
ic / 一个
BU2720DF
0 0.5 1 1.5 2
1
10
100
ptot / w
ib / 一个
ic = 4.5 一个
f = 16 khz
ths = 85 c
BU2720DF
0.01
0.1
1
10
0.1 1 10 100
ths = 85 c
ths = 25 c
ic/ib = 8
ic/ib = 4
vcesat / v
ic / 一个
BU2720DF
1
10
100
ptot / w
ib / 一个
ic = 5.5 一个
f = 16 khz
ths = 85 c
0.5 1 1.5 2 2.5
0 0.5 1 1.5 2
0.6
0.7
0.8
0.9
1
ths = 25 c
ths = 85 c
ic = 5.5 一个
4.5 一个
vbesat / v BU2720DF
ib / 一个
0.5 1 1.5 2 2.5
0
2
4
6
8
10
12
ts/tf / 美国 BU2720AF
ic = 5.5 一个
ic = 4.5 一个
ib / 一个
九月 1997 4 rev 1.300
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