飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU2727AF
图.7. 直流 电流 增益. h
FE
= f (i
C
)
参数 t
hs
(低 和 高 增益)
图.8. 典型 集电级-发射级 饱和 电压.
V
CEsat
= f (i
C
); 参数 i
C
/i
B
图.9. 典型 根基-发射级 饱和 电压.
V
BEsat
= f (i
B
); 参数 i
C
图.10. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
pd/pd 25˚c = f (t
hs
)
图.11. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th
j-hs
= f(t); 参数 d = t
p
/t
图.12. 测试 电路 rbsoa.
V
CC
= 150 v; -v
BB
= 1 - 4 v;
L
C
= 1 mh; v
CL
= 1500 v; l
B
= 0.5 - 2
µ
h;
C
FB
= 1 - 3 nf; i
b(终止)
= 0.8 - 4 一个
0.01 0.1 1 10 100
1
10
100
hFE bu2727a/af
ic / 一个
vce = 1 v
ths = 25 c
ths = 85 c
0 20 40 60 80 100 120 140
ths / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
和 散热器 复合
1e-06 1e-04 1e-02 1E+00
t / s
zth / (k/w)
BU2525AF
10
1
0.1
0.01
0.001
d =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
d = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.1 1 10 100
0.01
0.1
1
10
bu2727a/afvcesat / v
ths = 85 c
ths = 25 c
ic/ib = 12
ic/ib = 5
ic / 一个
LB
IBend
-vbb
LC
t.u.t.
VCC
VCL
CFB
01234
0.6
0.7
0.8
0.9
1
vbesat / v bu2727a/af
ib / 一个
ic = 6 一个
4 一个
ths = 85 c
ths = 25 c
九月 1997 4 rev 1.100
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