飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU2522AX
图.7. 典型 直流 电流 增益. h
FE
= f (i
C
)
V
CE
= 5 v
图.8. 典型 根基-发射级 饱和 电压.
V
是
sat = f (i
C
); 参数 i
C
/i
B
图.9. 典型 集电级-发射级 饱和 电压.
V
CE
sat = f (i
C
); 参数 i
C
/i
B
图.10. 典型 根基-发射级 饱和 电压.
V
是
sat = f (i
B
); 参数 i
C
图.11. 典型 转变-止 losses.
T
j
= 85˚c
poff = f (i
B
); 参数 i
C
= 6 一个; f = 64 khz
图.12. 典型 集电级 存储 和 下降 时间.
ts = f (i
B
); tf = f (i
B
); 参数 i
C
= 6a; t
j
= 85˚c;
f = 64 khz
0.01 0.1 1 10 100
ic / 一个
BU2522A
100
10
1
h
FE
tj = 25 c
tj = -40 c
tj = 85 c
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
ib / 一个
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
bu2522avbesat / v
tj = 25 c
tj = 85 c
ic =
7A
6A
5A
bu2522af/df/ax/dx
0 0.5 1 1.5 2
1
10
100
ib / 一个
ptot / w
ths = 25 c
ths = 85 c
0.1 1 10
ic / 一个
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
vbesat / v BU2522A
tj = 25 c
tj = 85 c
ic/ib =
3
5
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
ib / 一个
ts, tf / 美国
BU2522AF
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
ic =
6A
5A
0.1 10
ic / 一个
vcesat / v
10
1
0.1
0.01
1001
BU2522A
tj = 25 c
tj = 85 c
ic/ib =
3
5
九月 1997 4 rev 2.300
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