BU505_集成电路资料查询网

热的  数据
R
thj-情况
热的  阻抗  接合面-情况                                最大值 1.67
o
c/w
电的  特性
(t
情况
= 25
o
c 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CES
集电级 截-止
电流 (v
是
= 0)
V
CE
= v
CES
V
CE
= v
CES
T
情况
= 125
o
C
0.15
1
毫安
毫安
I
EBO
发射级 截-止 电流
(i
C
= 0)
V
EB
= 5 v 1 毫安
V
ceo(sus)
集电级-发射级
sustaining 电压
I
C
= 100 毫安            l = 25mh 700 V
V
ce(sat)
∗
集电级-发射级
饱和 电压
I
C
= 2 一个                  i
B
= 0.9 一个 5 V
V
是(sat)
∗
根基-发射级
饱和 电压
I
C
= 2 一个                  i
B
= 0.9 一个 1.3 V
I
s/b
第二 损坏
电流
V
CE
= 120 v            t = 200
µ
s2 一个
t
s
存储 时间 V
Clamp
= 250v       i
C
= 2 一个
I
B1
= 0.7 一个              v
是(止)
= -5v
R
bb
= 0                   l = 200
µ
H
2
350
µ
s
ns
∗
搏动:脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环 1.5 %.
BU505
2/4

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

热的数据 R thj-情况热的阻抗接合面-情况最大值 1.67 o c/w 电的特性 (t 情况 = 25 o c 除非否则指定) 标识参数测试情况最小值典型值最大值单位 I CES 集电级截-止电流 (v 是 = 0) V CE = v CES V CE = v CES T 情况 = 125 o C 0.15 1 毫安毫安 I EBO 发射级截-止电流 (i C = 0) V EB = 5 v 1 毫安 V ceo(sus) 集电级-发射级 sustaining 电压 I C = 100 毫安 l = 25mh 700 V V ce(sat) ∗ 集电级-发射级饱和电压 I C = 2 一个 i B = 0.9 一个 5 V V 是(sat) ∗ 根基-发射级饱和电压 I C = 2 一个 i B = 0.9 一个 1.3 V I s/b 第二损坏电流 V CE = 120 v t = 200 µ s2 一个 t s 存储时间 V Clamp = 250v i C = 2 一个 I B1 = 0.7 一个 v 是(止) = -5v R bb = 0 l = 200 µ H 2 350 µ s ns ∗ 搏动:脉冲波持续时间 = 300 µ s, 职责循环 1.5 %. BU505 2/4

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com