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资料编号:184082
 
资料名称:BU508D
 
文件大小: 162.87K
   
说明
 
介绍:
POWER TRANSISTORS(5A,1500V,125W)
 
 


: 点此下载
 
1
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
一般 描述
highvoltage,高-速 切换 npn 晶体管 在
一个 塑料 封套 和 整体的 效率 二极管 ,
primarily 为 使用 在 horizontal deflection circuites 的
colour television 接受者
快 涉及 数据
限制的 值
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
= 0v 1500 V
V
CEO
I
C
集电级 电流 (直流) 8 一个
I
CM
集电级 电流 peak value 15 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
25 125 W
V
CEs一个t
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 4.5a; i
B
= 2.0a 1.5 V
I
cs一个t
集电级 饱和 电流 f = 16khz 一个
V
F
二极管 向前 电压 I
F
=4.0a 2.0 V
t
f
下降 时间 I
C
=4.5a,i
B1
=-i
B2
=1.2a,v
CC
=140V 1.0 s
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
= 0v 1500 V
V
CEO
V
EBO
发射级-根基 电压(打开 集电级) 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) 8 一个
I
B
根基 电流 (直流) 4 一个
I
BM
根基 电流 顶峰 值 6 一个
P
tot
总的 电源 消耗 Tmb 25 125 W
T
stg
存储 温度 -55 150
T
j
接合面 温度 150
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CE
集电级-发射级 截-止 电流 V
= 0v; v
CE
= v
CESMm一个x
1.0 毫安
I
CES
V
= 0v; v
CE
= v
CESMm一个x
2.0 毫安
T
j
= 125
V
CEOsust
集电级-发射级 sustaining 电压 I
B
= 0a; i
C
= 100ma V
l = 25mh
V
CEs一个t
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 4.5a; i
B
= 2.0a 1.5 V
V
s一个t
根基-发射级 satuation 电压 I
C
= 4.5a; i
B
= 2.0a 2.5 V
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 1.0a; v
CE
= 5v 8 30
V
F
二极管 向前 电压 I
F
=4.0a 2.0 V
f
T
转变 频率 在 f = 1mhz I
C
= 0.1a; v
CE
= 10v 3 MHz
C
c
集电级 电容 在 f = 1mhz V
CB
= 10v 135 pF
t
s
切换 时间(16khz 线条 deflecton 电路)
I
C
=4.5a,i
B1
=-i
B2
=1.2a,v
CC
=140V 7.0 s
t
f
转变-止 存储 时间 转变-止 下降 时间 I
C
=4.5a,i
B1
=-i
B2
=1.2a,v
CC
=140V
1.0 s
电的 特性
mt-100
wing shing 计算机 组件 co., (h.k.)有限公司. 电话:(852)2341 9276 传真:(852)27978153
homepage: http://www.wingshing.com e-邮递: wsccltd@hkstar.com
BU508D
硅 diffused 电源 晶体管
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