©2002 仙童 半导体 公司 rev. b, 12月 2002
BU508AF
至-3pf
npn triple diffused planar 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw = 300
µ
s, 职责 循环 = 1.5% 搏动
标识 参数 值 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 1500 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 700 V
V
EBO
发射级-根基 电压 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) 5 一个
I
CP
*collector 电流 (脉冲波) 15 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 60 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CEO
(sus) * 集电级-发射级 sustaining 电压 I
C
= 100ma, i
B
= 0 700 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= 10ma, i
C
= 0 5 V
I
CES
集电级 截-止 电流 V
CE
= 1500v, v
是
= 0 1 毫安
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 5v, i
C
= 0 10 毫安
h
FE
* 直流 电流 增益 V
CE
= 5v, i
C
= 4.5a 2.25
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 4.5a, i
B
= 2a 1 V
V
是
(sat) * 根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 4.5a, i
B
= 2a 1.5 V
BU508AF
tv horizontal 输出 产品
1.根基 2.集电级 3.发射级
1
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