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资料编号:184458
 
资料名称:BUD42D
 
文件大小: 193.44K
   
说明
 
介绍:
High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability
 
 


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BUD42D
http://onsemi.com
3
典型 静态的 特性
图示 1. 直流 电流 增益 @ v
CE
= 1 v
100
10
1
1010.10.010.001
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
h
FE
, 直流 电流 增益
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= −20
°
C
图示 2. 直流 电流 增益 @ v
CE
= 5 v
100
10
1
1010.10.010.001
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
h
FE
, 直流 电流 增益
图示 3. 集电级 饱和 区域
3
2
0
100.10.010.001
I
B
, 根基 电流 (放大器)
I
C
= 0.2 一个
图示 4. collector−emitter 饱和 电压
10
1
0.01
1010.10.010.001
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= −20
°
C
I
C
/i
B
= 5
V
CE
, 电压 (伏特)
V
CE
, 电压 (伏特)
1
T
J
= 25
°
C
1 一个
1.5 一个
2 一个
图示 5. collector−emitter 饱和 电压
100
1
0.01
100.10.010.001
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
图示 6. collector−emitter 饱和 电压
10
1
0.01
100.10.010.001
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= −20
°
C
V
CE
, 电压 (伏特)
V
CE
, 电压 (伏特)
1
I
C
/i
B
= 8
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= −20
°
C
I
C
/i
B
= 10
0.4 一个
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= −20
°
C
1
0.1
0.1
1
0.1
10
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