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资料编号:184458
 
资料名称:BUD42D
 
文件大小: 193.44K
   
说明
 
介绍:
High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability
 
 


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BUD42D
http://onsemi.com
8
典型 切换 特性
表格 1. inductive 加载 切换 驱动 电路
V
(br)ceo(sus)
l = 10 mh
R
B2
=
V
CC
= 20 伏特
I
c(pk)
= 100 毫安
inductive 切换
l = 200
µ
H
R
B2
= 0
V
CC
= 15 伏特
R
B1
选择 为
desired i
B1
RBSOA
l = 500
µ
H
R
B2
= 0
V
CC
= 15 伏特
R
B1
选择 为
desired i
B1
+15 v
1
µ
F
150
3 w
100
3 w
MPF930
+10 v
50
一般
−V
500
µ
F
MPF930
MTP8P10
MUR105
MJE210
MTP12N10
MTP8P10
150
3 w
100
µ
F
I
输出
一个
R
B1
R
B2
1
µ
F
I
C
顶峰
V
CE
顶峰
V
CE
I
B
I
B1
I
B2
图示 27. t
fr
度量
I
10% i
F
V
FRM
0.1 v
F
t
fr
V
FR
(1.1 v
F
) 除非
否则 指定
F
V
F
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