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®
buf600, 601
输出
160
Ω
在
+1
R
输出
51
Ω
R
在
BUF600AP
C
2
470nF
C
4
2.2µf
+5V
1
5
8
C
1
470nF
C
3
2.2µf
–5V
4
Pos
Neg
地
这 缓存区 输出 是 不 电流-限制 或者 保护. 如果 这
输出 是 短接 至 地面, 高 电流 可以 arise 当
这 输入 电压 是
±
3.6v. momentary shorts 至 地面 (一个
few 秒) 应当 是 避免 但是 是 unlikely 至 导致
永久的 损坏.
电路 布局
这 高-频率 效能 的 这 buf600 和 buf601
能 是 非常 影响 用 这 物理的 布局 的 这 打印
电路 板. 这 下列的 tips 是 offered 作 suggestions,
不 作 绝对 musts. 振动, ringing, poor 带宽
和 安排好, 和 peaking 是 所有 典型 问题 那 plague
高-速 组件 当 它们 是 使用 incorrectly.
• 绕过 电源 供应 非常 关闭 至 这 设备 管脚. 使用
tantalum 碎片 电容 (大概 2.2
µ
f); 一个 paral-
lel 470nf 陶瓷的 碎片 电容 将 是 增加 如果 desired.
表面-挂载 类型 是 推荐 预定的 至 它们的 低
含铅的 电感.
• pc 板 查出 为 电源 线条 应当 是 宽 至 减少
阻抗 或者 电感.
• 制造 短的 和 低 电感 查出. 这 全部 physi-
cal 电路 应当 是 作 小 作 可能.
• 使用 一个 低-阻抗 地面 平面 在 这 组件
一侧 至 确保 那 低-阻抗 地面 是 有
全部地 这 布局.
• 做 不 扩展 这 地面 平面 下面 高-阻抗
nodes 敏感的 至 偏离 capacitances, 此类 作 这 缓存区’s
输入 terminals.
• 插座 是 不 推荐, 因为 它们 增加 signifi-
cant 电感 和 parasitic 电容. 如果 插座 必须
是 使用, 考虑 使用 零-profile solderless 插座.
• 使用 低-电感 和 表面-挂载 组件.
使用 所有 表面-挂载 组件 将 提供 这 最好的
交流 效能.
• 一个 电阻 (100
Ω
至 250
Ω
) 在 序列 和 这 输入 的 这
缓存区 将 帮助 至 减少 peaking.
• plug-在 prototype boards 和 线-wrap boards 将 不
函数 好. 一个 clean 布局 使用 rf 技巧 是
essential—there 是 非 shortcuts.
图示 2. 测试 电路.
阻抗 相一致
这 buf600 和 buf601 提供 电源 增益 和 分开
在 源 和 加载 当 使用 作 一个 起作用的 tap 或者
阻抗 相一致 设备 作 illustrated 在 图示 3. 在 这个
例子, 那里 是 非 输出 相一致 path 在 这
缓存区 和 这 75
Ω
线条. 此类 相一致 是 不 需要 当
这 distant 终止 的 这 缆索 是 合适的 terminated, 自从
那里 是 非 反映 信号 当 这 缓存区 isolates 这
源. 这个 技巧 准许 这 全部 输出 电压 的 这
缓存区 至 是 应用 至 这 加载.
图示 3. 阻抗 转换器.
300
Ω
BUF
75
Ω
470nF
2.2µf
+5V
1
5
8
470nF
2.2µf
–5V
4
160
Ω
75
Ω
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O
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