飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk436w-200a/b
图.7. 典型 转移 特性.
I
D
= f(v
GS
)
; 情况: v
DS
= 25 v; 参数 t
j
图.8. 典型 跨导, t
j
= 25 ˚c
.
g
fs
= f(i
D
); 情况: v
DS
= 25 v
图.9. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
一个 = r
ds(在)
/r
ds(在)25 ˚c
= f(t
j
); i
D
= 10 一个; v
GS
= 10 v
图.10. 门 门槛 电压.
V
gs(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 1 毫安; v
DS
= v
GS
图.11. sub-门槛 流 电流.
I
D
= f(v
gs)
; 情况: t
j
= 25 ˚c; v
DS
= v
GS
图.12. 典型 capacitances, c
iss
, c
oss
, c
rss
.
c = f(v
DS
); 情况: v
GS
= 0 v; f = 1 mhz
0 2 4 6 8 10
buk456-200a
vgs / v
40
30
20
10
0
id / 一个
tj / c =
150
25
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
tj / c
vgs(至) / v
4
3
2
1
0
最大值
典型值
最小值
0 10 20 30 40
buk456-200a
id / 一个
gfs / s
20
15
10
5
0
0 1 2 3 4
vgs / v
id / 一个
1e-01
1e-02
1e-03
1e-04
1e-05
1e-06
sub-门槛 传导
典型值
2 %
98 %
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
tj / c
normalised rds(在) = f(tj)
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
一个
0 20 40
vds / v
c / pf
Ciss
Coss
Crss
10
100
1000
10000
buk4y6-200
july 1997 4 rev 1.000
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