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半导体 组 6 dec-06-1995 bup 200 典型值 门 承担 V GE = ƒ ( Q 门 ) 参数: I c puls = 1 一个 0 4 8 12 16 20 24 nC 32 Q 门 0 2 4 6 8 10 12 14 16 V 20 V GE 800 v400 v 典型值 capacitances c = f (v CE ) 参数: V GE = 0 v, f = 1 mhz |
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