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半导体 组
4 dec-07-1995
bup 307
电源 消耗
P
tot
=
ƒ
(
T
C
)
参数:
T
j
≤
150 °c
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
C
0
40
80
120
160
200
240
W
320
P
tot
集电级 电流
I
C
=
ƒ
(
T
C
)
参数:
V
GE
≥
15 v ,
T
j
≤
150 °c
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
C
0
4
8
12
16
20
24
28
一个
36
I
C
safe 运行 范围
I
C
=
ƒ
(
V
CE
)
参数:
D
= 0
, t
C
= 25°c ,
T
j
≤
150 °c
-1
10
0
10
1
10
2
10
一个
I
C
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
CE
直流
10 ms
1 ms
100 µs
10 µs
t
p
= 3.5µs
瞬时 热的 阻抗    igbt
Z
th jc
=
ƒ
(
t
p
)
参数:
d = t
p
/
T
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
k/w
Z
thJC
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50

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半导体组 4 dec-07-1995 bup 307 电源消耗 P tot = ƒ ( T C ) 参数: T j ≤ 150 °c 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 T C 0 40 80 120 160 200 240 W 320 P tot 集电级电流 I C = ƒ ( T C ) 参数: V GE ≥ 15 v , T j ≤ 150 °c 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 T C 0 4 8 12 16 20 24 28 一个 36 I C safe 运行范围 I C = ƒ ( V CE ) 参数: D = 0 , t C = 25°c , T j ≤ 150 °c -1 10 0 10 1 10 2 10 一个 I C 10 0 10 1 10 2 10 3 V V CE 直流 10 ms 1 ms 100 µs 10 µs t p = 3.5µs 瞬时热的阻抗 igbt Z th jc = ƒ ( t p ) 参数: d = t p / T -3 10 -2 10 -1 10 0 10 k/w Z thJC 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s t p 单独的脉冲波 0.01 0.02 0.05 0.10 0.20 d = 0.50

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