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手机版
资料编号:185572
资料名称:
BUZ90
文件大小: 176.9K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
3
07/96
buz 90
电的 特性,
在
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
动态 特性
跨导
V
DS
≥
2
*
I
d *
R
ds(在)最大值,
I
D
= 2.8 一个
g
fs
2.5
3.8
-
S
输入 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
-
780
1050
pF
输出 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
-
110
170
反转 转移 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
rss
-
40
70
转变-在 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 2.6 一个
R
GS
= 50
Ω
t
d(在)
-
20
30
ns
上升 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 2.6 一个
R
GS
= 50
Ω
t
r
-
50
75
转变-止 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 2.6 一个
R
GS
= 50
Ω
t
d(止)
-
120
150
下降 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 2.6 一个
R
GS
= 50
Ω
t
f
-
70
90
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