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资料编号:185593
 
资料名称:BUZ40B
 
文件大小: 185.77K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
1 07/96
buz 40 b
SIPMOS
®
电源 晶体管
• n 频道
• 增强 模式
• avalanche-评估
管脚 1 管脚 2 管脚 3
G D S
类型
V
DS
I
D
R
ds(在
)
包装 订货 代号
buz 40 b 500 v 8.5 一个 0.8
至-220 ab c67078-s1305-a4
最大 比率
参数 标识 单位
持续的 流 电流
T
C
= 35 °c
I
D
8.5
一个
搏动 流 电流
T
C
= 25 °c
I
Dpuls
34
avalanche 电流,限制 用
T
jmax
I
AR
10
avalanche 活力,periodic 限制 用
T
jmax
E
AR
13 mJ
avalanche 活力, 单独的 脉冲波
I
D
= 10 一个,
V
DD
= 50 v,
R
GS
= 25
L
= 10.3 mh,
T
j
= 25 °c
E
570
门 源 电压
V
GS
±
20 V
电源 消耗
T
C
= 25 °c
P
tot
150
W
运行 温度
T
j
-55 ... + 150 °C
存储 温度
T
stg
-55 ... + 150
热的 阻抗, 碎片 情况
R
thJC
0.83 k/w
热的 阻抗, 碎片 至 包围的
R
thJA
75
din 湿度 类别, din 40 040 E
iec climatic 类别, din iec 68-1 55 / 150 / 56
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